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DescriptionLire plusLire moins
Le BS170 est un MOSFET à canal N, dans un boîtier compact TO-92. Ce type de MOSFET est idéal pour les applications à basse tension et courant, comme les petits transistors de signal.
Spécifications principales :
- Tension Drain-Source (Vds) : 60V
- Tension Gate-Source (Vgs) : ±20V (continu), ±40V (non-répétitif)
- Courant de Drain (Id) : 0,5A
- Dissipation totale de puissance : 350 mW à 25°C
- Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
- Tension de seuil de Gate (Vgs(Th)) : 0,8V à 3,0V
- Résistance On (Rds(on)) : Maximum 5 Ω à Vgs = 10V
- Temps de commutation : Temps d'activation et de désactivation de 4 à 10 nanosecondes
Le BS170 offre d'excellentes performances dans des applications de commutation rapide grâce à des temps de commutation faibles et est adapté à des régulateurs de puissance et amplificateurs de signal de petite taille.
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